高性能低压降稳压器(LDO)NCP16系列，提供更高PSRR

如今，随着目前已有半导体技术水平上升，对于稳压器的技术要求越来越严苛。一款低压降稳压器 (LDO)所具备的电源抑制比 (PSRR) ，能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能，因此也显得尤为重要。

安森美半导体的超低噪声低压降稳压器 (LDO) NCP16x 系列在各类应用中提供更好的性能，如汽车先进驾驶辅助系统 (ADAS) 图像传感器模块、便携式设备和包括802.11ad WiGig、蓝牙和 WLAN 的无线应用。

NCP16x 系列包括四个输入电压范围从1.9到5.5伏特 (V) 的器件以支持各种不同的终端应用。输出电流250毫安 (mA)、450 mA 和700 mA，采用相同封装，使设计易于扩展。98分贝 (dB) 的超高 PSRR 阻止不想要的电源噪声到达敏感的模拟电路，而6.5微伏 (μV) 均方根的超低噪声无需额外的输出电容。

安森美NCP16x 系列LDO 稳压器具有80毫伏 (mV) 的低压降，采用了一种新的专利架构来实现超高的 PSRR 性能，支持和帮助延长电池供电的终端产品的使用寿命。空载静态电流仅为12微安培 (μA)，进一步增强此特性。这些器件可提供1.2 V 至5.3 V 的固定输出电压，在整个应用范围内的精确度为+/-2%。仅1 µF 的输入输出电容实现稳定的工作，能降低系统成本和体积。

这一系列新的超低噪音 LDO 大大提高了 PSRR，比一些传统的 LDO 高 30 dB。另外，NCP16x 采用 TSOP-5、XDFN-4 和 WLCSP-4封装，均适用于现代高密度设计。