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电力电子技术文章:COT控制模式简述Part10——TI的DCAP系列

COT控制系列,本号已连载9篇,需要查看的请关注后自行搜索关键词“电力电子技术文章”。

众所周知,德州仪器一直以来就是排名第一的模拟大厂,其电源控制器和模拟信号链产品占据较大的份额。因此,非常有必要说一说TI 的DCAP系列控制器,它被广泛地应用在计算机、服务器以及存储等领域。前面已经说过DCAP控制器也是ACOT原理的控制器,TI把它称为“Direct connection to the output CAPacitor”,缩写为DCAP。

图 42DCAP控制器框图

相信看过TI官网资料的朋友一定对这个DCAP控制器框图很熟悉。它和我们之前搭建的COT控制器的模型基本一致,包含了恒定时间定时器(On-time Timer)、最小关断时间定时器(Minimum Off-time Timer)、电流过零检测(Zero-crossingDetection)、以及上下管的驱动。

输出电压通过简单的分压网络做采样得到含有ESR纹波的反馈信号,反馈信号vfb和参考电压vref比较,当vfb低于vref时,比较器输出拉高。此时,最小关断定时器也需要准备好,在上一个开关周期中关断阶段,当PWM latch Q拉低时,最小关断定时器才开始以恒定电流Ioff给Coff充电,当Coff电压大于设定好的参考电压时,最小关断定时器的比较器输出一定会拉高。接着往右看,这里多了一个或门,PWM latch Q是拉低的,最小关断定时器的输出是拉高的,因此或门的输出在上一个周期的关断阶段一定是高电平。这个高电平输入到与门,它会一直等待vfb低于vref,Loop比较器拉高信号的到来。等与门的两个输入都为高电平之后,PWM latch的S拉高,使得PWMlatch Q拉高,从而驱动上管的驱动拉高。

只不过在这里,PWM latch Q的高电平信号之后接入了另一个与门,它也需要等待下管关断信号结束,防止上下管的直通,也即是图中的cross conduction control。同样地,下管的驱动信号做了一毛一样的逻辑处理。

恒定导通定时器的控制和之前表述的ACOT一毛一样,不多言。

值得注意的是,ZCD过零检测部分,与之前介绍的方式比较类似。通过在关断阶段采样开关结点的电压,当电压逐渐增大变为正电压时,比较器翻转,关断下管的驱动信号,从而进入DCM模式。想象一下,ZC latch的S端什么时候会拉高呢?S端接入了一个非门,在非门之前的信号就是最小关断定时器的输出和PWM latch Q输出的或信号。所以,只有一种,PWM latch Q和最小关断定时器的比较器输出,两者都拉低。

实际上,PWM latch Q 控制着最小关断定时器Coff电容电压。Q拉高,Coff电压被放电至零,最小关断定时器的比较器输出一定是低;Q拉低,Coff电压被充电,未充到设定的参考电压时,最小关断定时器的比较器输出是低,充到设定的参考电压时,最小关断定时器的比较器输出为高。所以,只有在最小关断定时器充电阶段,才满足上述两者均拉低的要求。因此可以判定,ZC latch S由Q拉低触发,这么做当然是为了SW降低到二极管钳位电压之后才开始采样。笔者比较担心的是,从Q信号到SW真正拉低至下管的体二极管钳位电压时,仍然有比较大的时间延迟。就有可能出现,Q拉低触发ZCD检测开始,而SW还处在从Vin下降的阶段,从而引起ZCD信号误动作。

图43 part9中的ZCD逻辑(为了方便表述,再贴一次)

细心的读者会发现,(如果跑过我分享的仿真模型)在上一篇的文章图中,ZCD latch S的触发信号,使用了一个比较投机取巧的方法。上下管驱动一定是需要死区时间的。将下管的PWM信号在delay一定的时间获得ZCDTrigger信号,将两者异或,就可以获得一个从下管PWM开始的脉冲信号。

这样做的好处是,下管PWM开始时刻,足够保证SW电压已经降低到负的二极管钳位电压。

再回头来看DCAP框图,ZCD latch Q拉高,将SW接入 过零比较器Zero-crossing Comparator与GND比较。当SW电压大于GND时,说明电感电流已经过零了,此时需要关断下管的PWM信号。而下管的PWM信号与ZCD latchQ信号是相与关系,因此只要拉低ZCD latch Q即可,也即置位ZCD latch R端。

当电感电流过零时,过零比较器的输出与PWM latch Q信号相或,此时PWM latch Q信号一定是低电平,则它俩的或门输出为高电平,或门之后接了一个与门。与门的另一端是最小关断定时器的比较器输出与PWM latch Q相或后的信号,根据之前的分析,只有Coff电容充电阶段,最小关断定时器的比较器输出与PWM latch Q相或后的信号才为低电平,其他时刻均为高电平。所以,与门的输出信号,在Coff电容充电结束以及过零比较器输出拉高时,一定为高电平,从而置位 ZCD latchR端,顺利地关闭下管的PWM信号。

图44 simplisDCAP 仿真

在Simplis仿真方面,基本控制框图类似,ZCD检测基本和DCAP控制框图保持一致,增加了PWM驱动死区时间。

原公众号回复 TI_DCAP 获得模型。

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